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IRFHM8363TR2PBF
制造廠商：IR（國際整流器公司）
類別封裝：場效應管陣列，8-PQFN
技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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技術參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IRFHM8363TR2PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN系列：HEXFETFET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V功率 - 最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33現(xiàn)在可以訂購IRFHM8363TR2PBF，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
