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IRFH8318TR2PBF
制造廠商：IR（國際整流器公司）
類別封裝：單端場效應(yīng)管，PQFN
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
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技術(shù)參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IRFH8318TR2PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：27A（Ta），120A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.1 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：41nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3180pF @ 10V功率 - 最大值：3.6W安裝類型：表面貼裝產(chǎn)品封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）現(xiàn)在可以訂購IRFH8318TR2PBF，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
